光刻设备是半导体关键制程，光刻(lithography)设备是一种投影曝光系统，由紫外光源、光学镜片、对准系统等部件组装而成。在半导体制作过程中，光刻设备会投射光束，穿过印着图案的掩模及光学镜片，将线路图曝光在带有光感涂层的硅晶圆上;通过蚀刻曝光或未受曝光的部份来形成沟槽，然后再进行沉积、蚀刻、掺杂，架构出不同材质的线路;此制程被一再重复，就能将数以十亿计的 MOSFET或其他晶体管，建构在硅晶圆上，形成一般所称的集成电路。

　　晶圆光刻的工序流程

　　光刻决定了半导体线路的精度，以及芯片功耗与性能，相关设备需要集成材料、光学、机电等领域最尖端的技术，被誉为是半导体产业皇冠上的明珠。阿斯麦在行业中居绝对领先地位，占有中高端设备 8成的份额;其它主要光刻设备厂商为尼康与佳能，但因产品开发上不如阿斯麦具有灵活性，并且在浸没式光刻产品上错失关键时间点，目前市场份额大幅落后于阿斯麦，近年的研发投入与资本支出已经大幅落后，在先进制程上落后 1至 2代的技术能力。

　　晶圆的光刻工艺原理示意

　　双工作台与浸没式设备是发展转折点。公司在 1986时推出第一步进式(stepper)光刻机，提高掩模的使用效率与光刻精度，将半导体工艺制程向上提升一个台阶;在 2001年,公司推出采用双工作台的设备，能在硅晶圆在一个工作台进行光刻曝光时，同时将另一片晶圆在第二个工作台进行测量对位，大幅提高工作效率与对位精度，此一设计受到客户极大青睐，巩固了公司的市场地位;

　　光刻机示意图

　　而在 2007年，阿斯麦配合台积电的技术方向，推出了 193nm光源的浸没式系统，在光学镜头与硅晶圆片导入液体作为介质，在原有光源与镜头的条件下，能显著提升蚀刻精度，成为目前高端光刻的主流技术方案，一举垄断市场。尼康与佳能原本主推 157nm光源的干式光刻，但此一路线为市场所放弃，也成为这两家公司迈入衰退的重要原因。